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CME-EL电致发光外量子效率测量系统

OLED器件的发光效率取决于各种因素,例如各层膜和玻璃基板的吸收率,表面的反射率,玻璃基板的辐射角和波导能力,采用集成球作为样品室来抵消这些因素造成的影响。

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CME-EL电致发光外量子效率测量系统

产品详情

CME-EL电致发光外量子效率测量系统(EQE)是一种紧凑,操作便捷,可在手套箱内完成搭建。发光材料的特征体现在它们的荧光量子产率。对于诸如有机和无机LED的发光器件,相应的物理特征表现值是外量子效率,通常通过电致发光(ELelectroluminescence)方法测量。

主要特点:

l可以测量L(cd/m2)、LmEff(cd/A)、EQE和CIE1931;

l光谱仪系统采用制冷型CCD信噪比高、杂散光低;

l体积小巧:便于灵活使用及运输;

l坚固、紧凑的设计,可以***限度减少实验室空间;

l专业软件,操作简单;软件显示:J-V曲线、L-J曲线、LmEff-J曲线、EQE-J曲线、CIE1931 XYGraph曲线。

 

技术参数

光谱仪

型号

CME-QE2000(可选)

光谱范围(nm)

300-1100nm

光谱仪分光元件

全息成像光柵

感光元件

电子冷卻型CCD影像感测器

信噪比

1000:01:00

分辨率

2.5nm(FWHM)

积分球

尺寸

100mm

涂层材质

Sperctralon

源表

型号

Keithley2400

光纤

芯径

800um

 


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CME-EL电致发光外量子效率测量系统(EQE)是一种紧凑,操作便捷,可在手套箱内完成搭建。发光材料的特征体现在它们的荧光量子产率。对于诸如有机和无机LED的发光器件,相应的物理特征表现值是外量子效率,通常通过电致发光(ELelectroluminescence)方法测量。

主要特点:

l可以测量L(cd/m2)、LmEff(cd/A)、EQE和CIE1931;

l光谱仪系统采用制冷型CCD信噪比高、杂散光低;

l体积小巧:便于灵活使用及运输;

l坚固、紧凑的设计,可以***限度减少实验室空间;

l专业软件,操作简单;软件显示:J-V曲线、L-J曲线、LmEff-J曲线、EQE-J曲线、CIE1931 XYGraph曲线。

 

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光谱仪

型号

CME-QE2000(可选)

光谱范围(nm)

300-1100nm

光谱仪分光元件

全息成像光柵

感光元件

电子冷卻型CCD影像感测器

信噪比

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分辨率

2.5nm(FWHM)

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